光刻技术（photolithographictechnique）

光刻是将反映半导体器件或集成电路芯片结构设计要求的掩模图形转移到衬底表面上的一种工艺技术。光刻过程一般包括几个步骤，先将衬底表面涂敷一层光致抗蚀剂，然后用紫外线或远紫外线透过掩模对抗蚀剂层曝光，经过化学显影以后，掩模图形就转移到抗蚀剂层上，再以抗蚀剂层为掩模，对其下面的介质（如二氧化硅、氮化硅等）膜、金属（如铝）膜、多晶硅膜或者单晶硅衬底表面进行选择性腐蚀，这样，图形又转移到这些加工层上，最后，去除作为腐蚀掩模的光致抗蚀剂层，完成一次光刻操作。根据曝光时掩模和硅片之间距离的不同，曝光方式可以分为接触式（掩模和硅片紧密接触）、接近式（掩模和硅片之间存在20～25μm间隙）和投影式等。投影式光刻中掩模远离硅片，掩模和抗蚀剂层不会损伤，因此掩模使用寿命长，光刻图形的缺陷少。光致抗蚀剂分正性抗蚀剂和负性抗蚀剂两种。未曝光时可溶于显影液，曝光后不溶于显影液的为负性抗蚀剂；未曝光时不溶于显影液，曝光后才溶于显影液的为正性抗蚀剂。负性抗蚀剂与衬底黏附力强，感光灵敏度高，耐酸碱腐蚀，成本低，但分辨率较低，正性抗蚀剂的特点正与负性抗蚀剂相反。半导体集成电路的制造一般要经过多次光刻过程。光刻技术还应用于薄膜集成电路和印刷电路的制作。