罗丹宁
物理性质
一、物性数据：
性状：浅黄色结晶
2.熔点（℃）：0.868
3.沸点（oC）： 168.5
作用与用途
常温常压下稳定。
性质与稳定性
检定和重量分析测定银。有机合成，制造苯丙氨酸。
贮存方法
密封于干燥阴凉处保存。
毒理学数据
二、毒理学数据：
1、急性毒性：大鼠经口LD50：320 mg/kg；
小鼠经口LD50：225 mg/kg；
小鼠腹腔LD50：200 mg/kg
小鼠皮下LD50：200 mg/kg；
小鼠静脉LD50：32 mL/kg。
生态学数据
三、生态学数据：
1、其它有害作用：该物质对环境可能有危害，对水体应给予特别注意。
分子结构数据
五、分子性质数据：
1、 摩尔折射率：32.78
2、 摩尔体积（m3/mol）：83.7
3、 等张比容（90.2K）：252.9
4、 表面张力（dyne/cm）：83.2
5、 极化率（10-24cm3）：12.99
计算化学数据
四、计算化学数据：
1、 疏水参数计算参考值（XlogP）：0.7
2、 氢键供体数量：1
3、 氢键受体数量：1
4、 可旋转化学键数量：0
5、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：29.1
6、 重原子数量：7
7、 表面电荷：0
8、 复杂度：122
9、 同位素原子数量：0
10、 确定原子立构中心数量：0
11、 不确定原子立构中心数量：0
12、 确定化学键立构中心数量：0
13、 不确定化学键立构中心数量：0
14、 共价键单元数量：1
安全信息
危险品标志： 有害
安全标识：S22 S26 S39
危险标识：R22 R41
合成方法
目前主要用高压单晶炉液体密封技术和外延方法制备磷化镓晶体。
图XIII-19 用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布
液体密封直拉法
采用高压单晶炉，将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中，再经抽真空、熔化，在充以5.5 Mpa氩气压下，用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大，在典型生长条件下，有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用，使三氧化二硼透明性变差，并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察，为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径，制得磷化镓单晶成品。
合成溶质扩散法(SSD法)
将镓放入石英坩埚中，镓源温度在1100～1150℃之间，坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000～1050℃，磷源温度为420℃，这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压，在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa，所以在0.1 Mpa磷蒸气压下，磷化镓可以稳定生长。开始时，磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散，由于坩埚底部温度较低，当磷化镓超过溶解度时，就会析出晶体，如磷源足够，最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。
磷化镓外延生长
用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。
磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有：Ga-PCI3-H2；GaHCl-PH3-H2；GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。
最近采用InP与InP；aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。
2.按图所示，将镓和磷在真空中封入管图用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布内，在镓上形成温度梯度。镓的上面温度TH为1065～1330℃，温度梯度为7～46K/cm。坩埚底部温度(TL)低于TH，当磷蒸气压为101.325kPa时，加热数日，则GaP在Ga中扩散，于器底析出，全部为结晶块。这时，GaP的成长速度1日为0.8～7.0mm。上述是封闭管法，在连续操作系统中，也有类似的制块方法。
3.用氩气流向保持在1150～1350℃的镓上输送气态磷，或用氢气流向保持在1130℃的氮化硼盘或石英盘中的镓上输送磷化氢都可以制得GaP。而后面的反应系统(1130℃)，由于可以高精度地除去各种杂质，所以可得到高纯度的GaP。
4.用氢气向保持在1000℃的Ga2O3上输送磷蒸气，可制得产率接近100%的GaP。
5.将GaPO4在750～1050℃用氢或一氧化碳还原制取。
