磷化铟
物理性质
性状：单晶呈银灰色，质地较软
熔点（oC）：1600
溶解性：极微溶于无机酸
作用与用途
1.如果遵照规格使用和储存则不会分解
避免接触氧化物，酸。极微溶于无机酸。介电常数：108。电子迁移率：约4600 cm2/V·s。空穴迁移率：约150 cm2/V·s。具有半导体的特性。
2.它有较高的极限速度，所以，ＩｎＰ高频器件的工作极限频率比ＧａＡｓ更高，电子扩散速率与电子迁移率之比小于ＧａＡｓ，故更利于制作低噪声器件。
性质与稳定性
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
合成方法
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。
2.取化学计量的铟和红磷封入石英管中，反应温度在700℃经350～400h，可制得InP,收率为94%～95%。
3.用铟和比化学计算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法，在700～800℃下加热1～2日则可制得磷化铟。本法收率低。产物用稀盐酸处理就可以得到纯的InP。
4.由卤素反应系统制取的方法。在高真空中，加热650℃以上，使InP升华。欲制得纯的InP，要使用过量的In。
贮存方法
保持贮藏器密封
放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方
生态学数据
对水是稍微危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境
计算化学数据
1、疏水参数计算参考值（XlogP）:
2、氢键供体数量：0
3、氢键受体数量：0
4、可旋转化学键数量:0
5、互变异构体数量：
6、拓扑分子极性表面积（TPSA）:0
7、重原子数量：2
8、表面电荷：0
9、复杂度：10
10、同位素原子数量：0
11、确定原子立构中心数量：0
12、不确定原子立构中心数量：0
13、确定化学键立构中心数量：0
14、不确定化学键立构中心数量：0
15、共价键单元数量：1
安全信息
危险运输编码： UN3288
安全标识：S24/25
