二氯硅烷

16JSDichlorosilane电子级二氯硅烷电子级高纯二氯二氢硅Electronic grade dichlorosilane Electronic gradeCl2SiH2101.01

目录: 1、物理性质; 2、作用与用途; 3、性质与稳定性; 4、合成方法; 5、贮存方法; 6、毒理学数据; 7、计算化学数据; 8、安全信息; 、生态

物理性质

性状：无色易燃气体，具强烈刺激性气味。易燃。有毒腐蚀性气体。
密度（g/mLat 25°C）：3.47
相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：4.599
熔点（oC）：-122
沸点（oC,常压）：8.3
沸点（oC,11mmHg）：8.2
闪点（oC）：-37
蒸气压（mmHg,20oC）：1254
临界温度（oC）：176.0
临界压力（MPa）：4.68

作用与用途

避免强氧化剂,强碱
避免光,高温.与水发生剧烈反应。在湿空气中水解，生成盐酸雾。有强腐蚀性。为易燃、有毒和腐蚀性物质。对呼吸道有刺激，闻较长时间会引起窒息死亡。液体接触皮肤，严重者会造成剧烈的组织刺激和坏死。生产人员要做好防护，防止呼吸器官、眼睛和皮肤直接接触。生产设备要密闭，车间要通风良好。气化焓25kJ/mol；气化熵89.5J/(mol·K)。SiH2Cl2常用作合成有机硅的中间体。

性质与稳定性

用于制造半导体，尤其是在外延法工艺中作为硅源。二氯二氢硅主要用于多晶硅外延生长以及化学气相沉积二氧化硅和氮化硅。它的硅含量比三氯氢硅和四氯化硅高，二氯二氢硅沉积硅更有效，且淀积温度比其他氯硅烷低。采用二氯二氢硅在降低温度下沉积厚层所需时间大大低于采用硅烷所需时间。由于二氯二氢硅的沉积速率与采用其他氯硅烷相比对温度敏感性小，因此可以采用调节氢气流中二氯二氢硅浓度的方法来控制沉积速率，而且不会出现鼓泡所带来的不准确性和机械问题。
用于半导体制造中，尤其是外延法工艺作为硅源。

合成方法

1.将硅粉和氯化氢按适当比例进行反应，生成二氯二氢硅，经蒸馏分离三氯氢硅，把得到的二氯二氢硅进行精制，制得电子级高纯二氯二氢硅成品。

贮存方法

应贮存在阴凉、通风、干燥的库房中，要远离热源和火种，气瓶任何部位温度不能高于517℃。不可与氧化剂、易燃品共贮混运。运输过程中要防雨淋、烈日暴晒，防火

毒理学数据

吸入人体会水解生成盐酸、刺激呼吸系统，引起咳嗽，肺部水肿。吸入二氯二氢硅气体时间较长会引起窒息而死。溅在皮肤上可引起坏死，溃疡长期不愈。
为易燃、有毒和腐蚀性物质。对呼吸道有刺激，闻较长时间会引起窒息死亡。液体接触皮肤，严重者会造成剧烈的组织刺激和坏死。生产人员要做好防护，防止呼吸器官、眼睛和皮肤直接接触。生产设备要密闭，车间要通风良好

计算化学数据

1、疏水参数计算参考值（XlogP）：
2、氢键供体数量：0
3、氢键受体数量：0
4、可旋转化学键数量：0
5、互变异构体数量：
6、拓扑分子极性表面积（TPSA）：0
7、重原子数量：3
8、表面电荷：0
9、复杂度：2.8
10、同位素原子数量：0
11、确定原子立构中心数量：0
12、不确定原子立构中心数量：0
13、确定化学键立构中心数量：0
14、不确定化学键立构中心数量：0
15、共价键单元数量：1