锑化镓

0LBMGallium antimonideGaSb191.48

目录: 1、物理性质; 2、作用与用途; 3、性质与稳定性; 4、合成方法; 5、贮存方法; 6、毒理学数据; 7、生态学数据; 8、计算化学数据; 、安

物理性质

性状：类似锗的化合物型半导体，灰白色，立方晶系闪锌矿型结晶。
密度（g/mL,25℃）：5.61
熔点（oC）：706
溶解性：不溶于水

作用与用途

常温常压下稳定
避免的物料氧化物酸碱
锑化镓单晶的重要特征是无论用什么方法制备，室温下最高纯度的锑化镓单晶总是Ｐ型，其机理尚不完全清楚，一种主要观点认为是由过剩Ｓｂ空位造成的。它的价带自旋轨道的分裂可以得到空穴离化系数增大的能级，可改善长波长雪崩光电探测器（ＡＰＤ）的信噪比。由于ＧａＳｂ单晶的临界屈服应力较大（１５．８Ｎ／ｍｍ２），故其位错密度不高（不超过１０３数量级），适于制作ＧａＩｎＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ激光器、ＧａＩｎＡｓＳｂ探测器和ＧａＡｓ／ＧａＳｂ叠层太阳电池（转换效率超过３０％）。

性质与稳定性

用于制造激光器，探测器，高频器件，太阳电池。

合成方法

把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中，装入石英管内，并用氢气流充分置换掉空气之后，然后在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合。
为了制得GaSb单晶，可以从石英管中慢慢取出，使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时，所用原料盘及石英管均应是高纯度的制品，必要时可进行区域熔融提纯。

贮存方法

常温密闭，阴凉通风干燥

毒理学数据

主要的刺激性影响：
在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜
在眼睛上面：刺激的影响
致敏作用：没有已知的敏化现象

生态学数据

通常对水体是极其有害的，即使小量产品也不能接触地下水，水道或污水系统

计算化学数据

1、氢键供体数量：0
2、氢键受体数量：0
3、可旋转化学键数量：0
4、拓扑分子极性表面积（TPSA）：0
5、重原子数量：2
6、表面电荷：3
7、复杂度：0
8、同位素原子数量：0
9、确定原子立构中心数量： 0
10、不确定原子立构中心数量：0
11、确定化学键立构中心数量：0
12、不确定化学键立构中心数量：0
13、共价键单元数量：2