苄基氯化镁, 1-2M in THF

物理性质

性状：不可用
密度（g/mL,25/4℃）：1.08
相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：不可用
熔点（oC）：不可用
沸点（oC,常压）：245
沸点（oC,5.2kPa）：不可用
折射率：不可用
闪点（oC）：>230℉
比旋光度（o）：1.565
自燃点或引燃温度（oC）：不可用
蒸气压（kPa,25oC）：不可用
饱和蒸气压（kPa,60oC）：不可用
燃烧热（KJ/mol）：不可用
临界温度（oC）：不可用
临界压力（KPa）：不可用
油水（辛醇/水）分配系数的对数值：不可用
爆炸上限（%,V/V）：不可用
爆炸下限（%,V/V）：不可用
溶解性：溶于乙醚和四氢呋喃，不溶于脂肪烃。

作用与用途

1.具有强烈的吸湿性，应保存在无水环境中。

毒理学数据

二、毒理学数据：
急性毒性：不可用。

生态学数据

三、生态学数据：
1、其它有害作用：该物质对环境可能有危害，对水体应给予特别注意。

安全信息

危险运输编码： UN 2924 3/PG 1
危险品标志： 很易燃刺激腐蚀
安全标识：S16 S26 S43 S45 S36/S37/S39
危险标识：R12 R14 R34 R66 R67 R14/15

贮存方法

应存放于清洁、干燥、阴凉、无酸、碱气氛的库房内。产品在运输过程中应防雨淋和防潮、防烈日曝晒。不得倒置和碰撞。

性质与稳定性

镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。
高纯镓主要用于生产GaAs、GaN、Gap等化合物半导体材料、超导材料、高纯合金、核反应堆的热载体等。也可用作单晶硅、单晶锗掺杂元素。纯度为99.99999%（7N镓）主要用于制造砷化镓、磷化镓、锑化镓等，用于制造LED和红外器件。纯度为99.999999%（8N镓），主要用作分子束外延（MBE）的镓源制造超晶格、量子阱等最先进的半导体器件。高纯镓还可以作为永磁材料等合金的添加剂。
用于制造化合物半导体材料和高纯合金。在核反应堆中用作热交换介质。